Pronóstico del mercado de amplificadores de potencia de RF en Oriente Medio y África hasta 2031: análisis regional, por frecuencia (menos de 10 GHz, 11-20 GHz, 21-30 GHz y más de 30 GHz), tecnología (arseniuro de galio (GaaS), nitruro de galio (GaN), silicio germanio (SiGe) y otros) y aplicación (electrónica de consumo, aeroespacial y defensa, automotriz, médica y otras)

El mercado de amplificadores de potencia de RF de Oriente Medio y África se valoró en 366,56 millones de dólares estadounidenses en 2023 y se prevé que alcance los 829,19 millones de dólares estadounidenses en 2031; se estima que registrará una CAGR del 10,7% entre 2023 y 2031.

Los avances en nitruro de galio, arseniuro de galio (GaAs) y semiconductores de óxido metálico complementarios (CMOS) impulsan el mercado de amplificadores de potencia de RF de Oriente Medio y África

Los componentes de GaAs, nitruro de galio (GAN) y semiconductores de óxido metálico complementarios (CMOS) ofrecen soluciones compactas y energéticamente eficientes para amplificadores de potencia de RF, lo que los hace muy adecuados para diversas aplicaciones. El nitruro de galio (GAN) es adecuado para aplicaciones de microondas de alta potencia y alta temperatura debido a sus altos voltajes de ruptura, alta movilidad de electrones y velocidad de saturación. Es ideal para amplificadores de potencia RF utilizados en transmisión inalámbrica de datos de alta velocidad, redes eléctricas y hornos microondas. Los transistores RF basados en GAN son conocidos por su capacidad de mantener el rendimiento a temperaturas más altas en comparación con los transistores de silicio, lo que mejora su confiabilidad y eficiencia. El arseniuro de galio (GaAs) es otro semiconductor compuesto que se usa ampliamente en amplificadores de potencia RF. Los amplificadores de potencia GaAs se usan comúnmente en teléfonos celulares y cubren varios rangos de frecuencia. Ofrecen altos niveles de potencia y están diseñados para máximas eficiencias de potencia agregada. La tecnología de semiconductores complementarios de óxido de metal (CMOS) también está surgiendo como una opción prometedora para amplificadores de potencia RF. Los amplificadores de potencia RF basados en CMOS ofrecen ventajas como bajo consumo de energía, factor de forma pequeño e integración con otros componentes CMOS. Estas características hacen que los amplificadores de potencia RF basados en CMOS sean adecuados para aplicaciones donde la eficiencia energética y la compacidad son cruciales. La adopción de componentes GaAs, GAN y CMOS en amplificadores de potencia RF está impulsada por la necesidad de soluciones compactas y energéticamente eficientes. Las empresas están colaborando para el desarrollo de estas tecnologías; Por ejemplo, en mayo de 2022, STMicroelectronics y MACOM Technology Solutions Holdings Inc. lograron un hito importante al crear con éxito prototipos de tecnología de nitruro de galio sobre silicio de radiofrecuencia (RF GAN-on-Si). Se espera que estas tecnologías emergentes sigan impulsando el crecimiento del mercado de amplificadores de potencia de RF, lo que permitirá avances en las comunicaciones inalámbricas, los centros de datos y otras industrias.

Descripción general del mercado de amplificadores de potencia de RF en Oriente Medio y África

El mercado de amplificadores de potencia de RF de Oriente Medio y África está segmentado en Sudáfrica, Arabia Saudita, los Emiratos Árabes Unidos y el resto de Oriente Medio y África. Los gobiernos de los países de Oriente Medio y África se están involucrando en el despliegue de redes inalámbricas como Wi-Fi 6E para habilitar tecnologías avanzadas. Por ejemplo, en febrero de 2022, la Comisión de Tecnología de la Información y las Comunicaciones (CITC) de Arabia Saudita emitió su "Reglamento WLAN", fortaleciendo así el dominio global y regional del país en el campo de las tecnologías Wi-Fi y exentas de licencia, activando su última generación de tecnologías de telecomunicaciones de alta velocidad y permitiendo el uso de tecnologías emergentes y futuras. El Reglamento WLAN establece una política regulatoria para el uso de aplicaciones WLAN en el país y hace que el nuevo espectro sea accesible en las bandas de 6 GHz y 60 GHz para fomentar el uso continuo de aplicaciones WLAN. Los amplificadores de potencia de RF juegan un papel importante en la amplificación y adaptación de señales.

Ingresos y pronóstico del mercado de amplificadores de potencia de RF de Oriente Medio y África hasta 2031 (millones de USD)

Segmentación del mercado de amplificadores de potencia de RF de Oriente Medio y África

El mercado de amplificadores de potencia de RF de Oriente Medio y África se clasifica en frecuencia, tecnología, aplicación y país.

Según la frecuencia, el mercado de amplificadores de potencia de RF de Oriente Medio y África está segmentado en menos de 10 GHz, 11-20 GHz, 21-30 GHz y más de 30 GHz. El segmento de menos de 10 GHz tuvo la mayor participación de mercado en 2023.

En términos de tecnología, el mercado de amplificadores de potencia de RF de Oriente Medio y África está segmentado en arseniuro de galio, nitruro de galio, silicio-germanio y otros. El segmento de arseniuro de galio tuvo la mayor participación de mercado en 2023.

Por aplicación, el mercado de amplificadores de potencia de RF de Oriente Medio y África está segmentado en electrónica de consumo, aeroespacial y defensa, automotriz, médica y otros. El segmento de electrónica de consumo tuvo la mayor participación de mercado en 2023.

Por país, el mercado de amplificadores de potencia de RF de Oriente Medio y África está segmentado en los Emiratos Árabes Unidos, Arabia Saudita, Sudáfrica y el resto de Oriente Medio y África. Los Emiratos Árabes Unidos dominaron la cuota de mercado de amplificadores de potencia de RF en Oriente Medio y África en 2023.

Qorvo Inc, NXP Semiconductors NV, Qualcomm Inc, Infineon Technologies AG, Broadcom Inc, Mitsubishi Electric Corp, STMicroelectronics NV y Analog Devices Inc. son algunas de las empresas líderes que operan en el mercado de amplificadores de potencia de RF en Oriente Medio y África.